abone ol




Kullanıcı Adı

Şifre


          Şifremi Unuttum?




İletişim

  • 0216 550 46 26


Etiket Bulutu

İstanbul Özel Ders omuz başı basketbol fizyolojisi evrim teorisi cumhuriyet yönetimi ilk nerede başlamıştır insan ve hayvanların benzer yanları tane boyut analizi el sürmemek keleşlik sermayeler tanımı solukluk loğlama mustafa ali kaptan birinci dereceden iki bilinmeyenli denklem transistor çörek otu çalıkuşu romanının özeti 360 derece kaçıncı deprem kuşakları iç tehdit unsurları inşaat sözleşme uğur böceği boru öykü nedir temel jimnastik hareketleri enez nonoş sınıfsız biokimyasal nedir koşuk,sagu,sav,destan akraba evliliği sakıncaları gril ereksel neden cümle öğeleri fiziksel tekstil muayeneleri kiralık ev ikinci endüstri staj cv yazma salaş inilmek radar sonar ultrason nedir damlamak adi step motor araklamak ana şehir internet hizmet programının kurulması anayurt otelı timüs dilin hayatımızdaki yeri ve önemi minimal cız etmek atatürks life ümraniye edison psikomotor gelişim araçları coğrafya şekilleri bankacılık krizleri imar arşivi od ocak şükretmek konuk olmak aşk yapmak şofben bisiklet yapımı çağdaş sınıf yönetimi anlayışı bombardıman etmek ağaç çileği munkariz gözlemek imren dolaşmak geçmişte iletişim üsküdar anadolu meslek lisesi kirlilik mâli+plan bir devredeki elektronlar 50 yıl önce teknoloji olumlu kanlanmak ısının yayılması ağır durmak atomun iç dünyası allegro fen ve teknoloji dersi halı planları final sorulari istiklal mahkemeleri istiklal marşı doğrultmak sorumluluk+rapor kâşif bileşik kesir okul deneyimi 2 staj raporu somutluk inakçı okul şarkıları iletişim masteri jeotermal dini ve ilmi eserler


ATOMİK TABAKA EPİTAKSİSİ


Ödev Bilgileri

 Sayfa Sayısı : 2 Sayfa
 Dökümanın Dili : Türkçe
 Döküman Türü : Word Dökümanı
 Kaynakça :
 Resim/Şekil :
 Tablo :



Sitedeki dosyalar üye olmak için öğrencilerin gönderdiği dosyalardan oluşmaktadır. Eğitim ve öğretim amaçlıdır. Bu dosyaların tümünün editörden gözden geçirilmesi yoğun bir emek gerektiğinden, gözden kaçmış olanlar olabilir. Ayrıca bir üyemiz tarafından gönderilen bir dosyanın telif hakkına tabi olup olmadığını her durumda tespit edemeyebiliriz. Böyle bir durumu fark etmeniz halinde lütfen iletişim mailimizden bize durumu bildirin. Siteden kaldırılması için mesajınıza dosya numarasınıda ekleyerek bize yardım merkezinden gönderebilirsiniz. İlgili dosya 48 saat içerisinde derhal siteden kaldırılır.. Telif haklarına gösterilen özen konusunda bize yardımcı olduğunuz için teşekkür ederiz..
Dosya No: 163258 - | Yardım Merkezi için Lütfen Buraya Tıklayınız

Eğer üye iseniz giriş yapıp dökümanı indirebilirsiniz.


Ödevin Özeti

ATOMİK TABAKA EPİTAKSİSİ(Atomic Layer Epitaxy)



Atomik tabaka epitaksisi (ALE), kimyasal buhar biriktirme(CVD) yönteminin özel bir şekli olarak da düşünülebilir. Epitaksial filmlerin kontrollu gelişimini sağlamak amaçlı biriktirme ve katı alt malzeme yüzeyinde biçimlendirilmiş moleküler yapı oluşturma işlemidir. Tek atomlu tabakaların seri halde büyütülebilmesi ALE’nin karakteristik özelliğidir. Bu yüzden istenen kaplama kalınlığı ancak işlemdeki seri reaksiyonların sayımıyla elde edilebilir. Seri reaksiyonlarla oluşmuş tek katlı yapının yeniden kurulması belirtinin doyurma mekanizmasını ve doyurma yoğunluğunu etkilemektedir. ALE reaksiyonları normalde “etkili aşırı dozlama “ durumlarında tek atomlu yapıyı oluşturmak için tam doyurma meydana gelmesini kesinleştirir. Bundan başka öylesi “etkili aşırı dozlama” durumları kompleks şekilli alt malzemeler üzerinde homojen bir kaplama yapılmasını sağlamaktadır. Ayrıca ALE’deki bu zincir gaz fazı reaksiyonlarını engellemekte ve reaktan madde seçiminde daha fazla olanak sağlamaktadır. (örnek; tuz benzeri, metalorganikleri vs...) ALE işlemi mükemmel homojenliğe sahip yüksek kalitedeki ince filmlerde biriktirmede kullanılabilmektedir.

ALE işlemi atmosfer basıncı veya CVD’deki gibi inert gazların (hareketsiz gaz) kullanımında ya da moleküler dalga epitaksisindeki gibi vakumlu sistemlerde uygulanabilmektedir. Vakum kullanımı bölüm 10’da tanımlandığı gibi in-suti yüzey analiz metodlarında çeşitlilik sağlamaktadır. [271-273]. Ale işlemindeki ayrıntılı incelemede reaktan ve reaktör kullanımından söz edilmiştir.[274]. ALE işlemi sırasındaki film gelişme hızındaki teorisel evrim Park et al tarafından araştırılmıştır. Çok küçük kaplama değişimindeki genel düşünceyi kullanıyordu.[275]. Absorblama miktarının her elementin yüzeyde kapladığı yerle bağlantılı olduğu bulundu. Model şunu doğrulayabilir; “yüzey kaplamasının periyodik biriktirme süresince olan periyodik sınır durumu, başlangıç alt maddesinin film biriktirmesinden hala etkilendiği geçiş periyodundan sonra doymaktadır.”

ALE’yi diğerlerinden ayıran özelliği kristalin bileşik tabakası, kompleks tabakalı yapıların,[276] süper kafeslerin[277,278], ve kusursuz yüzeye sahip alaşımların kusursuz büyümesini sağlayan cazip bir method olmasıdır. ALE önceleri polikristalini, ZnS’in ince amorf yapısını, elektro-parlak görüntü aletleri için dielektrik oksitlerin büyümesini sağlamak için geliştirilmişti. Bu günlerde ALE metodları kullanılarak çok geniş alanda ince filmler sentez edilebilmektedir. Bunlar yarı-iletken III-V [280-283], II-VI [284-286], oksitler [295,287-289], nitratlar [290-291], kovalent malzemeler[292], fosfatlar [293] ve metalik filmler [294].

ALE işlemi iyi uyumlu kaplamalı film üretebilir ve nanometrenin altındaki değerlerde film tabakasını doğru bir şekilde kontrol edebilir. Diğer yöntemlerde olmayan bu avantajı, bu yöntemi nano -tek...
- Üye olup tamamını bilgisayarınıza kaydedebilir, üzerinde değişiklik yapabilir, yazıcı çıktısı alabilirsiniz.