abone ol




Kullanıcı Adı

Şifre


          Şifremi Unuttum?




İletişim

  • 0216 550 46 26


Etiket Bulutu

İstanbul Özel Ders gayr 4. murat bağdat robert hooke asit baz tepkimeleri senaryo öyküleri devlet yatılı okul sınavları elektronik kart aşiyan mehmet akif ersoy hayatı istatistiksel kalite kontrol zula figürlü figürsüz soyut resim futbolda şiddet radarlar tütün işletmelerin bölümlendirilmesi sürükleme tez vakit iplikçi fırlatış vatan sevgisi ile ilgili resimler klasik yönetim anlayışı hab ahşap esaslı kaplamalar pervaneli motorlar fıkracı çözelti hesabı heba etmek tartışma çeşitleri plc onat özentici eli olmak mol kavramı muhabbet rakamların tarihçesi parşömen canı gelip gitmek ayarlama maddelerde esneklik açık olmak ambalaj sanayi iş planı artistik jimnastik kanban bilgisayar kullanim reklamlar university essay araçlar barcode ahi karama kaybolan sanatlar çöğür yer altı kaynaklarımız ıskarça proton on parmağı boğazında olmak tekleşme gelişim oranları gider dağıtım tablosu servet-i fünun dostoyevski piraye kiklâ depremlerin dağılışı ana renkler ham maddenin önemi harbi neymiş timer counter arabanın buluşu mpm anasının kızı metalik bağ ardısık sayılar tarihi olayların dile etkileri çevremiz kavuk internetin zararları cicekler alkol yüzünden trafik kazalari akordeon içme suyu arıtımı sosyal bilgiler sınav soruları atatürk ile ilgili okul şarkılar atomun iç dünyası gol yapmak adresler msn kaplıcalar cümle tahlili 18.yy divan edebiyatı turistik yerlerimiz ölümsüz aile basit faiz sağlanmak tahlif bioteknoloji letarji sinir küpü


ATOMİK TABAKA EPİTAKSİSİ


Ödev Bilgileri

 Sayfa Sayısı : 2 Sayfa
 Dökümanın Dili : Türkçe
 Döküman Türü : Word Dökümanı
 Kaynakça :
 Resim/Şekil :
 Tablo :



Sitedeki dosyalar üye olmak için öğrencilerin gönderdiği dosyalardan oluşmaktadır. Eğitim ve öğretim amaçlıdır. Bu dosyaların tümünün editörden gözden geçirilmesi yoğun bir emek gerektiğinden, gözden kaçmış olanlar olabilir. Ayrıca bir üyemiz tarafından gönderilen bir dosyanın telif hakkına tabi olup olmadığını her durumda tespit edemeyebiliriz. Böyle bir durumu fark etmeniz halinde lütfen iletişim mailimizden bize durumu bildirin. Siteden kaldırılması için mesajınıza dosya numarasınıda ekleyerek bize yardım merkezinden gönderebilirsiniz. İlgili dosya 48 saat içerisinde derhal siteden kaldırılır.. Telif haklarına gösterilen özen konusunda bize yardımcı olduğunuz için teşekkür ederiz..
Dosya No: 163258 - | Yardım Merkezi için Lütfen Buraya Tıklayınız

Eğer üye iseniz giriş yapıp dökümanı indirebilirsiniz.


Ödevin Özeti

ATOMİK TABAKA EPİTAKSİSİ(Atomic Layer Epitaxy)



Atomik tabaka epitaksisi (ALE), kimyasal buhar biriktirme(CVD) yönteminin özel bir şekli olarak da düşünülebilir. Epitaksial filmlerin kontrollu gelişimini sağlamak amaçlı biriktirme ve katı alt malzeme yüzeyinde biçimlendirilmiş moleküler yapı oluşturma işlemidir. Tek atomlu tabakaların seri halde büyütülebilmesi ALE’nin karakteristik özelliğidir. Bu yüzden istenen kaplama kalınlığı ancak işlemdeki seri reaksiyonların sayımıyla elde edilebilir. Seri reaksiyonlarla oluşmuş tek katlı yapının yeniden kurulması belirtinin doyurma mekanizmasını ve doyurma yoğunluğunu etkilemektedir. ALE reaksiyonları normalde “etkili aşırı dozlama “ durumlarında tek atomlu yapıyı oluşturmak için tam doyurma meydana gelmesini kesinleştirir. Bundan başka öylesi “etkili aşırı dozlama” durumları kompleks şekilli alt malzemeler üzerinde homojen bir kaplama yapılmasını sağlamaktadır. Ayrıca ALE’deki bu zincir gaz fazı reaksiyonlarını engellemekte ve reaktan madde seçiminde daha fazla olanak sağlamaktadır. (örnek; tuz benzeri, metalorganikleri vs...) ALE işlemi mükemmel homojenliğe sahip yüksek kalitedeki ince filmlerde biriktirmede kullanılabilmektedir.

ALE işlemi atmosfer basıncı veya CVD’deki gibi inert gazların (hareketsiz gaz) kullanımında ya da moleküler dalga epitaksisindeki gibi vakumlu sistemlerde uygulanabilmektedir. Vakum kullanımı bölüm 10’da tanımlandığı gibi in-suti yüzey analiz metodlarında çeşitlilik sağlamaktadır. [271-273]. Ale işlemindeki ayrıntılı incelemede reaktan ve reaktör kullanımından söz edilmiştir.[274]. ALE işlemi sırasındaki film gelişme hızındaki teorisel evrim Park et al tarafından araştırılmıştır. Çok küçük kaplama değişimindeki genel düşünceyi kullanıyordu.[275]. Absorblama miktarının her elementin yüzeyde kapladığı yerle bağlantılı olduğu bulundu. Model şunu doğrulayabilir; “yüzey kaplamasının periyodik biriktirme süresince olan periyodik sınır durumu, başlangıç alt maddesinin film biriktirmesinden hala etkilendiği geçiş periyodundan sonra doymaktadır.”

ALE’yi diğerlerinden ayıran özelliği kristalin bileşik tabakası, kompleks tabakalı yapıların,[276] süper kafeslerin[277,278], ve kusursuz yüzeye sahip alaşımların kusursuz büyümesini sağlayan cazip bir method olmasıdır. ALE önceleri polikristalini, ZnS’in ince amorf yapısını, elektro-parlak görüntü aletleri için dielektrik oksitlerin büyümesini sağlamak için geliştirilmişti. Bu günlerde ALE metodları kullanılarak çok geniş alanda ince filmler sentez edilebilmektedir. Bunlar yarı-iletken III-V [280-283], II-VI [284-286], oksitler [295,287-289], nitratlar [290-291], kovalent malzemeler[292], fosfatlar [293] ve metalik filmler [294].

ALE işlemi iyi uyumlu kaplamalı film üretebilir ve nanometrenin altındaki değerlerde film tabakasını doğru bir şekilde kontrol edebilir. Diğer yöntemlerde olmayan bu avantajı, bu yöntemi nano -tek...
- Üye olup tamamını bilgisayarınıza kaydedebilir, üzerinde değişiklik yapabilir, yazıcı çıktısı alabilirsiniz.